Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

BV1HB012EFJ-CE2

Name: ROHM Semiconductor BV1HB012EFJ-CE2
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BV1HB012EFJ-CE2
Price: 2374 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-BV1HB012EFJ-CE2

Fabricante N.º:

BV1HB012EFJ-CE2

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación ICs, Power Management, Automotive Intelligent Power Device Single Channel 12m High Side Switch

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

BV1HB012EFJ-CE2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor BV1HB012EFJ-CE2

En existencias: 3.452

Existencias:: 3.452

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 2.500
Plazo de entrega de fábrica:: 21

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$2.374	$2.374
	$1.758	$17.580
	$1.602	$40.050
	$1.434	$143.400
	$1.355	$338.750
	$1.299	$649.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.210	$3.025.000
	$1.120	$5.600.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación
Tipo:	High Side Switch
Número de salidas:	1 Output
Resistencia en modo encendido - Máx.:	35 mOhms
Tiempo encendido - Máx.:	150 us
Tiempo apagado - Máx.:	100 us
Voltaje de alimentación operativo:	6 V to 28 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HTSOP-J8
Calificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Producto:	Switches
Tipo de producto:	Power Switch ICs - Power Distribution
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Switch ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	28 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	6 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

BV1HB012EFJ-CE2 Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

BV1HBx Automotive High Side Switches

ROHM Semiconductor BV1HBx Automotive High Side Switches integrate an overcurrent load protection and a dual temperature shutdown mechanism. This limits the internal thermal transients and reduces the mechanical stress of the ICs. The BV1HBx switches feature 4V low operating voltage (cranking) and a smart active-clamp circuit to dissipate the magnetic energy while switching off inductive loads. These switches also feature embedded current sense and diagnostic features. These provide real-time load current information and open or short circuit feedback in both the ON and OFF state. A 3V and 5V CMOS-compatible input pin offers direct microcontroller connection without special interfaces or level shifters. The BV1HBx high-side switches operate within the -40°C to 150°C temperature range. Typical applications include driver for resistive, inductive, and capacitive loads, MOSFET, relay, and fuse replacement, and intelligent power devices.