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BUK7Q9R5-40HJ

Name: Nexperia BUK7Q9R5-40HJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK7Q9R5-40HJ
Price: 851 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BUK7Q9R5-40HJ

Fabricante N.º:

BUK7Q9R5-40HJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Q9R5-40H/SOT8002/MLPAK33

Ciclo de vida:

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	$851	$851
	$530	$5.300
	$343	$34.300
	$261	$130.500
	$234	$234.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$200	$600.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MLPAK33-WF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	51 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	47 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.1 ns
Alias de las piezas n.º:	9.3467E+11

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TARIC:: 8541290000

BUK7Q N-Channel MOSFET in MLPAK33-WF Package

Nexperia BUK7Q N-Channel MOSFETs in an MLPAK33-WF Package (SOT8002-3D) use Trench 9 technology. Qualified to meet AEC-Q101 requirements at 175°C, they offer a small footprint for compact designs. Nexperia BUK7Q has side-wettable flanks that provide robust solder joints and automated optical inspection.