1ED3431MU12MXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED3431MU12MXUMA
1ED3431MU12MXUMA1

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas ISOLATED DRIVER

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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$3.584 $896.000
$3.472 $1.736.000
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$3.091 $3.091.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Isolated Gate Drivers
SMD/SMT
1 Driver
1 Output
3 A
3 V
25 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Enhanced X3 analog
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: DE
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Nombre comercial: EiceDRIVER
Alias de las piezas n.º: 1ED3431MU12M SP005350849
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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

Familia analógica Enhanced X3 EiceDRIVER™

La familia analógica Enhanced X3 EiceDRIVER™ de Infineon Technologies ofrece capacidad de configuración de resistores para DESAT (tiempo de filtro ajustable) y "apagado suave" (corriente ajustable) a través de resistores externos (pin ADJA y ADJB). Los controladores aislados de un solo canal 1ED34xx de Infineon cuentan con corriente de salida de hasta 9 A y voltaje máximo de suministro de salida de 40 V en un paquete ancho de paso fino DSO-16 que ahorra espacio y tiene una distancia de fuga de 8 mm. La familia analógica Enhanced X3 cuenta con la certificación UL 1577 como VIso = 5,7 kVRMS durante 1 minuto y VDE 0884-11 (aislamiento reforzado) VIORM = 1767 V.

EiceDRIVER™ Enhanced Isolated Gate Driver ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Enhanced Isolated Gate Driver ICs offer protection features such as DESAT, miller clamp, soft-off for MOSFETs, IGBTs, and SiC MOSFETs. These isolated drivers are based on our Coreless Transformer (CT) technology, enabling a world class Common Mode Transient Immunity (CMTI) of 300kV/μs. The miller clamp and accurate short-circuit protection (DESAT) enables superior application safety by avoiding parasitic turn-on and short-circuit when driving CoolSiC™ SiC MOSFET and TRENCHSTOP™ IGBT7. The EiceDRIVER™isolated drivers provide driving capabilities of up to 9A, making booster solutions obsolete. These single-channel and dual-channel gate driver ICs are available as X3 analog family (1ED34xx) and X3 digital family gate driver ICs. The 1ED34xx and 1ED38xx gate driver ICs offer 9A output current and 40Vmax output voltage in a space-saving DS0-16 fine pitch wide-body package with 8mm creepage. These ICs features short-circuit clamping and active shutdown and offer the highest isolation capability for the 1500V DC solar inverter application.

EiceDRIVER™ Gate Driver ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate Driver ICs are designed for MOSFETs, IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs devices. EiceDRIVER™ gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A. These devices have robust gate drive protection features such as fast short-circuit protection (DESAT), active Miller clamp, shoot-through protection, fault, shutdown, and over current protection. These features make these driver ICs well-suited for both silicon and wide-bandgap power devices, including CoolGaN™, and CoolSiC™. That’s why Infineon offers more than 500 EiceDRIVER™ gate driver IC solutions suitable for any power switch, and any application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

Isolated Gate Drivers

Infineon Isolated Gate Drivers use magnetically coupled coreless transformer (CT) technology to transfer signals across galvanic isolation. These drivers offer functional basic, reinforced isolated, UL 1577, and VDE 0884 certified products. The isolation allows for very large voltage swings (e.g. ±1200V). These isolated drivers incorporate the most important key features and parameters for MOSFET, IGBT, IGBT modules, SiC MOSFET, and GaN HEMT driving.

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