Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
XP2N1K2EN1
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YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
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SOT-723-3
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XP3P010YT
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
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YAGEO XSemi
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Si
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Si
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Si
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YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10C150M
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
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Si
SMD/SMT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
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YAGEO XSemi
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Si
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1.758 En existencias
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YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA011H
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10NA8R4IT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
967 En existencias
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Si
Through Hole
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
XP10TN028YT
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10TN028YT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
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Si
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PMPAK-8
N-Channel
1 Channel
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Si
SMD/SMT
TO-252-3/2
N-Channel
1 Channel
100 V
8.1 A
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XP10TN135K
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N.º de artículo de Mouser 603-XP10TN135K
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
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Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
100 V
3 A
135 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
12 nC
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Chile