UJ4SC075009B7S

onsemi
431-UJ4SC075009B7S
UJ4SC075009B7S

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$35.067 $35.067
$27.328 $273.280
$27.037 $13.518.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$25.514 $20.411.200

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
750 V
106 A
9 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
SiC FET
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 14 ns
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 25 ns
Serie: UJ4SC
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 65 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

FET SiC UJ4C/SC de 750 V en paquete D2PAK-7L

Los FET SiC UJ4C/SC de 750 V en paquete D2PAK-7L de UnitedSiC / Qorvo están disponibles en múltiples opciones de resistencia de encendido de 9 mΩ a 60 mΩ. Al aprovechar una exclusiva tecnología Cascode de FET SiC, en la que un JFET SiC normalmente activado está incluido con un MOSFET de silicio para producir un FET SiC normalmente inactivo, estos dispositivos ofrecen un mejor factor de mérito de RDS X Area de su clase, lo que resulta en las pérdidas de conducción más bajas en una pequeña matriz. El paquete D2PAK-7L proporciona una inductancia reducida mediante circuitos compactos de conexión interna que, junto con la conexión de fuente Kelvin incluida, resulta en una baja pérdida de conmutación, lo que permite una operación a mayor frecuencia y una mejor densidad de potencia del sistema. Cinco conexiones de fuente paralelas en forma de ala de gaviota permiten una baja inductancia y un alto consumo de corriente. La adhesión de matrices mediante sintetizado de plata resulta en una resistencia térmica muy baja para una máxima extracción de calor en las placas de circuito impreso (PCB) estándar y los sustratos IMS con refrigeración líquida. Estos FET SiC ofrecen un diodo de cuerpo compacto, una carga de puerta ultrabaja y un voltaje umbral de 4.8 V que permite una conducción de 0 V a 15 V. Las características de control de puertas estándar de los FET los convierten en reemplazos ideales para IGBT de Si, FET de Si, MOSFET SiC o dispositivos de máxima unión de Si.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

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