NVMFWD024N06CT1G
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863-NVMFWD024N06CT1G
NVMFWD024N06CT1G
Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Hoja de datos:
En existencias: 1.500
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Existencias:
-
1.500 Se puede enviar inmediatamenteSe ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
-
Plazo de entrega de fábrica:
-
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Precio (CLP)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| $3.315 | $3.315 | |
| $2.162 | $21.620 | |
| $1.490 | $149.000 | |
| $1.243 | $621.500 | |
| $1.154 | $1.154.000 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500) | ||
| $1.154 | $1.731.000 | |
Hoja de datos
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
