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FFSB3065B-F085

Name: onsemi FFSB3065B-F085
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSB3065B-F085
Price: 9386 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSB3065B-F085

Fabricante N.º:

FFSB3065B-F085

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 30A SIC SBD G EN1.5

Hoja de datos:

FFSB3065B-F085 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cinta cortada

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Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$9.386	$9.386
	$6.451	$64.510
	$5.051	$505.100
	$4.715	$2.357.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$4.715	$3.772.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	30 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.38 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	120 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSB3065B-F085
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	246 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso de la unidad:	1,485 g

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FFSB3065B-F085 Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

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650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.