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LMG3526R050RQST

Name: Texas Instruments LMG3526R050RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R050RQST
Price: 28134 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3526R050RQST

Fabricante N.º:

LMG3526R050RQST

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 50-mâ„¦ GaN FE T With Integrated D

Hoja de datos:

LMG3526R050RQST Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$28.134	$28.134
	$22.008	$220.080
	$21.022	$525.550
	$18.794	$1.879.400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$15.299	$3.824.750

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	GaN FET
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-52
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R050
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Voltaje de entrada - Máx.:	18 V
Voltaje de entrada - Mín.:	7.5 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG3526R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET with integrated driver and protection targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI offers integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers minimal ringing and clean switching in hard-switching power supply topologies. The adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns. This control can be used to control EMI and actively optimize switching performance.