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LMG3526R030RQST

Name: Texas Instruments LMG3526R030RQST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R030RQST
Price: 35493 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3526R030RQST

Fabricante N.º:

LMG3526R030RQST

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3526R030RQST Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$35.493	$35.493
	$32.211	$322.110
	$30.766	$769.150
	$27.518	$2.751.800
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$27.205	$6.801.250
	$25.133	$12.566.500
1.000	Presupuesto

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tiempo de subida:	2.8 ns
Tiempo de caída:	22 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R030
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	US
País de origen:	PH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	GaN

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver

Texas Instruments LMG3526R030 GaN FET with Integrated Driver comes with protections and targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R030 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to control EMI and optimize switching performance actively.