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CSD88537ND

Name: Texas Instruments CSD88537ND
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88537ND
Price: 2240 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD88537ND

Fabricante N.º:

CSD88537ND

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.240	$2.240
	$1.434	$14.340
	$964	$96.400
	$766	$383.000
	$719	$719.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$671	$1.677.500

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD88537NDT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.509

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD88537NDT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88537ND

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	15 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	19 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	CSD88537ND
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns
Peso de la unidad:	74 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
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TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.