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CSD87313DMST

Name: Texas Instruments CSD87313DMST
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMST
Price: 3438 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD87313DMST

Fabricante N.º:

CSD87313DMST

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

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MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.438	$3.438
	$2.229	$22.290
	$1.277	$127.700
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$1.277	$319.250
	$1.210	$605.000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD87313DMS

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.397

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD87313DMS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.7 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	13 ns, 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	149 S, 149 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	41 ns, 41 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns, 9 ns
Peso de la unidad:	5,500 mg

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CSD87313DMST Hoja de datos

SPICE Models

CSD87313DMS PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.