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CSD83325LT

Name: Texas Instruments CSD83325LT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD83325LT
Price: 1232 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD83325LT

Fabricante N.º:

CSD83325LT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD83325L

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

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MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.232	$1.232
	$806	$8.060
	$666	$66.600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$666	$166.500
	$625	$312.500
	$600	$600.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD83325L

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$515

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD83325L

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET dua A 595-CSD83325LT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	BGA-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	8.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	589 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	36 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	353 ns
Serie:	CSD83325L
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	711 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	205 ns
Peso de la unidad:	1,500 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

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