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CSD18503Q5AT

Name: Texas Instruments CSD18503Q5AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18503Q5AT
Price: 3024 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD18503Q5AT

Fabricante N.º:

CSD18503Q5AT

Fabricante:

Texas Instruments

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.024	$3.024
	$1.960	$19.600
	$1.187	$118.700
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$1.187	$296.750
	$1.029	$514.500
	$1.017	$1.017.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

N.º de artículo del Fabricante:

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$2.397

Mín.:

Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD18503Q5A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18503Q5AT

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	120 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2.6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	100 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8.8 ns
Serie:	CSD18503Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4.5 ns
Peso de la unidad:	86,200 mg