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CSD17507Q5A

Name: Texas Instruments CSD17507Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17507Q5A
Price: 1456 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17507Q5A

Fabricante N.º:

CSD17507Q5A

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

Hoja de datos:

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MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.456	$1.456
	$908	$9.080
	$601	$60.100
	$473	$236.500
	$427	$427.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$382	$955.000
	$372	$1.860.000

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Fabricante N.º:

CSD17579Q5A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	2.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	TW
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CSD17507Q5A
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	83,700 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
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ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

CSD17507Q5A 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17507Q5A 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. The device features ultra-low Q_g and Q_gd, low-thermal resistance, and they are avalanche rated. The Texas Instruments CSD17507Q5A is ideal for Point-of-Load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems and is optimized for control FET applications.

CSD17507Q5A NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD17507Q5A N-channel NexFET™ power MOSFETs are 30V devices deisgned to minimize losses in power conversion applications. TI CSD17507Q5A NexFET power MOSFETs feature low thermal resistance as well as ultralow gate charge totla (Qg) and gate charge gate to drain (Qgd). The TI CSD17507Q5A has a 1.6V threshold voltage. These TI NexFET power MOSFETs are optimized for control FET applications and are also ideal for point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems.