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CSD17318Q2

Name: Texas Instruments CSD17318Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17318Q2
Price: 694 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17318Q2

Fabricante N.º:

CSD17318Q2

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T

Hoja de datos:

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$694	$694
	$431	$4.310
	$276	$27.600
	$208	$104.000
	$184	$184.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$159	$477.000
	$142	$852.000
	$127	$1.143.000

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17318Q2T

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.870

Mín.:

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Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD17318Q2T

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WSON-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	25 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	600 mV
Qg - Carga de puerta:	6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	16 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	42 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	CSD17318Q2
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Peso de la unidad:	5,500 mg

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Models

CSD17318Q2 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

Technical Resources

CSD17318Q2 TINA-TI Reference Design

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KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.