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CSD16327Q3T

Name: Texas Instruments CSD16327Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16327Q3T
Price: 2318 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD16327Q3T

Fabricante N.º:

CSD16327Q3T

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16327Q3

Hoja de datos:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

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MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.318	$2.318
	$1.490	$14.900
	$876	$87.600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$876	$219.000
	$756	$378.000
	$704	$704.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD16327Q3

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$1.859

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD16327Q3

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD163 A 595-CSD16327Q3T

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	60 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	8.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	74 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	6.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	96 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	CSD16327Q3
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.3 ns
Peso de la unidad:	44,500 mg

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Application Notes

Models

CSD16327Q3T Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.