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TQM2N7002KDCU6 RFG

Name: Taiwan Semiconductor TQM2N7002KDCU6 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TQM2N7002KDCU6RF
Price: 381 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

821-TQM2N7002KDCU6RF

Fabricante N.º:

TQM2N7002KDCU6 RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Hoja de datos:

TQM2N7002KDCU6 RFG Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$381	$381
	$236	$2.360
	$149	$14.900
	$110	$55.000
	$103	$103.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$80,6	$241.800
	$71,7	$430.200
	$61,6	$554.400
	$59,4	$1.425.600

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	330 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	1.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	337 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	7.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.9 ns
Peso de la unidad:	7 mg

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USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

TQMx Automotive Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TQMx Automotive Power MOSFETs are designed by trench technology for single and dual channels. These P dual channels are compatible with conventional PDFN packages. These MOSFETs feature a flat lead package suitable for compact designs with good thermal performance and a Wettable Flank (WF) for Automated Optical Inspection (AOI). The Taiwan Semiconductor TQMx MOSFET family qualifies for the AEC-Q101 standards to meet the high-performance requirement for automotive applications. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C and are halogen-free according to IEC 61249-2-21. Typical applications include 12V automotive systems, solenoid and motor control, automotive transmission control, and DC-DC converters.