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STH345N6F7-2

Name: STMicroelectronics STH345N6F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH345N6F7-2
Price: 2912 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STH345N6F7-2

Fabricante N.º:

STH345N6F7-2

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	H2PAK-2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	397 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	230 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	341 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	73.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	87.3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	107.4 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	48.7 ns