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PD55008-E

Name: STMicroelectronics PD55008-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-PD55008-E
Price: 19230 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-PD55008-E

Fabricante N.º:

PD55008-E

Fabricante:

STMicroelectronics

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Frecuencia de trabajo:	1 GHz
Ganancia:	17 dB
Potencia de salida:	8 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerSO-10RF-Formed-4
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.6 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Dp - Disipación de potencia :	52.8 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	PD55008-E
Cantidad de empaque de fábrica:	400
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 20 V
Peso de la unidad:	3 g