RTDTTP4200W066A

Renesas Electronics
227-RTDTTP4200W066A
RTDTTP4200W066A

Fabricante:

Descripción:
Herramientas de desarrollo de administración de IC 4.2kW Totem Pole PFC Evaluation Kit

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.

En existencias: 2

Existencias:
2 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$1.345.938 $1.345.938

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Renesas Electronics
Categoría de producto: Herramientas de desarrollo de administración de IC
RoHS:  
Evaluation Kits
Power Factor Correction
85 VAC to 270 VAC
TP65H030G4PWS
Gen IV SuperGaN
Marca: Renesas Electronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Para utilizar con: GaN FET
Empaquetado: Bulk
Tipo de producto: Power Management IC Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Development Tools
Nombre comercial: SuperGaN
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8543700000
USHTS:
8543709860
JPHTS:
854370000
TARIC:
8473302000
ECCN:
EAR99

RTDTTP4200W066A GaN Evaluation Board

Renesas Electronics RTDTTP4200W066A GaN Evaluation Board is a 4.2kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board that enables highly efficient single-phase AC/DC conversion using the current Renesas Gen IV Plus SuperGaN® FET. The Renesas Electronics TP65H030G4PWS is a diode-free Gallium Nitride (GaN) FET bridge with low reverse recovery charge.