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MCT04P06-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCT04P06-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCT04P06-TP
Price: 1243 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-MCT04P06-TP

Fabricante N.º:

MCT04P06-TP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60Vds 20Vgs -3.5A 2.0W -14A

Hoja de datos:

MCT04P06-TP Hoja de datos (PDF)

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	$1.243	$1.243
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	$507	$50.700
	$392	$196.000
	$355	$355.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$312	$780.000
	$292	$1.460.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-223-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	45 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	105 ns
Serie:	MCT04P06
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns
Peso de la unidad:	250 mg

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Hoja de datos

MCT04P06-TP Hoja de datos (PDF)

Certificate of RoHS Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

P-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) P-Channel Medium Power MOSFETS feature a low on-resistance (RDS) range from 0.013Ω to 0.52Ω and a high voltage version up to 800V. These MOSFETs utilize advanced trench MOSFET process technology in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. The P-Channel MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.