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S80KS5122GABHI020

Name: Infineon S80KS5122GABHI020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S5122GABHI020
Price: 10987 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

727-S5122GABHI020

Fabricante N.º:

S80KS5122GABHI020

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

DRAM SPCM

Hoja de datos:

S80KS5122GABHI020 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$8.803	$2.975.414

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	HyperRAM
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-24
Organización:	64 M x 8
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	338
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	44 mA

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320032
ECCN:: 3A991.b.2

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S80KS5122 and S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0 Memory is a high-speed, low-pin-count, low-power self-refresh Dynamic RAM (DRAM) for high-performance embedded systems requiring expansion memory for scratchpad or buffering purposes. HYPERRAM products support JEDEC JESD251 profile compliant HYPERBUS™ and Octal xSPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories while enhancing system performance and ease of design as reducing system cost. The low-pin count architecture makes HYPERRAM especially suitable for power and board space-constrained applications requiring off-chip external RAM.