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S70KL1282GABHV020

Name: Infineon S70KL1282GABHV020
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-S70KL1282GABHV2
Price: 7403 CLP
Availability: InStock

Mouser N.º:

727-S70KL1282GABHV2

Fabricante N.º:

S70KL1282GABHV020

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

DRAM SPCM

Hoja de datos:

S70KL1282GABHV020 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$6.888	$68.880
	$6.686	$167.150
	$6.530	$326.500
	$6.373	$637.300
	$6.093	$1.523.250
	$5.947	$2.973.500
	$5.858	$5.858.000
	$4.794	$11.985.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	HyperRAM
Tamaño de memoria:	128 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Organización:	16 M x 8
Tiempo de acceso:	35 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	3380
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	60 mA

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320051
ECCN:: 3A991.b.1.a

S70KL1282 & S70KL1283 Interface HyperRAMs

Infineon Technologies S70KL1282 and S70KL1283 Interface HyperRAMs are high-speed CMOS, self-refresh DRAMs with HYPERBUS™ interfaces. The DRAM array uses dynamic cells that require a periodic refresh. Refresh control logic within the device manages the refresh operations on the DRAM array when the memory is not being actively read or written by the HYPERBUS interface master (host). Since the host is not required to manage any refresh operations, the DRAM array appears to the host as though the memory uses static cells that retain data without refresh. The memory is more accurately described as Pseudo-Static RAM (PSRAM).

S27KS064x & S27KL064x HYPERRAM™ 2.0 Memory

Infineon Technologies S27KS064x and S27KL064x HYPERRAM™ 2.0 Memory are high-speed, low-pin-count DRAMs for high-performance embedded systems requiring expansion memory. These devices offer HYPERBUS™ and Octal SPI interfaces that draw upon the legacy features of both parallel and serial interface memories. These DRAMs operate at a voltage range of 1.8V to 3V and offer a bandwidth of up to 400MBps throughput. This makes HYPERRAM™ 2.0 the ideal expansion memory for controllers with limited onboard RAM. The HYPERRAM™ 2.0, when used as scratch-pad memory, allows the read and write operations to enable fast delivery of high-resolution graphics. Typical applications include automotive instrument clusters, industrial Human Machine Interface (HMI), industrial machine vision, and display systems for consumer electronics.