Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 40118 CLP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-AIMZA75R007M2HXK

Fabricante N.º:

AIMZA75R007M2HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

AIMZA75R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies AIMZA75R007M2HXKSA1

En existencias: 15

Existencias:: 15 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 8 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$40.118	$40.118
	$32.827	$328.270
	$29.008	$2.900.800
1.000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	PG-TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	172 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	169 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	78 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	CoolSiC Automotive Power Device
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Alias de las piezas n.º:	AIMZA75R007M2H SP006113236

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AIMZA75R007M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.