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AIMDQ75R020M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R020M2HXT
Price: 17965 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-AIMDQ75R020M2HXT

Fabricante N.º:

AIMDQ75R020M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$17.965	$17.965
	$14.627	$146.270
	$12.197	$1.219.700
	$10.886	$5.443.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	$10.226	$7.669.500
2.250	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-HDSOP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	86 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	-7 V to + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	59 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	340 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Automotive Power Device
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	AIMDQ75R020M2H SP006089223

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ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G2 MOSFETs are engineered to meet the stringent demands of electric vehicle (EV) applications such as traction inverters, onboard chargers (OBC), and high-voltage DC/DC converters. These silicon carbide (SiC) MOSFETs deliver exceptional efficiency, power density, and thermal performance, enabling next-generation e-mobility systems. With a voltage rating of 750V and second-generation CoolSiC™ technology, these devices offer improved switching behavior and reduced losses compared to traditional silicon solutions. The portfolio includes a range of R_DS(on) values from 9mΩ to 78mΩ, providing flexibility for designers to optimize conduction and switching performance.