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IXFN56N90P

Name: IXYS IXFN56N90P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN56N90P
Price: 66718 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFN56N90P

Fabricante N.º:

IXFN56N90P

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 900V 56A

Hoja de datos:

IXFN56N90P Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	900 V
Id - Corriente de drenaje continua:	56 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	135 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	6.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 kW
Serie:	IXFN56N90
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	38 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	80 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	HiperFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	93 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	74 ns
Peso de la unidad:	30 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

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