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IXFN160N30T

Name: IXYS IXFN160N30T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN160N30T
Price: 35515 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFN160N30T

Fabricante N.º:

IXFN160N30T

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Módulos MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A

Hoja de datos:

IXFN160N30T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$26.130	$261.300
	$22.680	$2.268.000
	$22.669	$11.334.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	300 V
Id - Corriente de drenaje continua:	130 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	900 W
Serie:	IXFN160N30
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	25 ns
Altura:	12.22 mm
Longitud:	38.23 mm
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	38 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HiPerFET
Tipo:	GigaMOS Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	105 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	37 ns
Ancho:	25.42 mm
Peso de la unidad:	30 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.