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IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR

Name: ISSI IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR
Brand: ISSI
SKU: 870-2M8DBLL200BLA2TR
Price: 11805 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-2M8DBLL200BLA2TR

Fabricante N.º:

IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR

Fabricante:

ISSI

Descripción:

Tamaño de memoria RAM (SRAM) 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 3.0V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive

Ciclo de vida:

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IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:
Tamaño de memoria:	256 Mb
Organización:	32 M x 8
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Tipo de interfaz:	OPI
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Corriente de suministro - Máx.:	30 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TFBGA-24
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Velocidad de transmisión de datos:	400 MB/s
Tipo de memoria:	PSRAM
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	OctalRAM

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Hoja de datos

IS67WVO32M8DBLL-200BLA2-TR Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320024
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

IS67WVH/IS67WVO Memory Devices

ISSI IS67WVH/IS67WVO Memory Devices contain 64Mb/128Mb Pseudo Static Random Access (PSRAM) memory using a self-refresh DRAM array organized as 8M/16M words by 8bits. These memory devices offer up to 400MB/s of high-performance. The IS67WVH HyperRAM™ devices support a HyperBus interface, very low signal count (address, command, and data through 8 DQ pins), and hidden refresh operation. These integrated memory devices feature sequential burst transactions, Read-Write Data Strobe (RWDS), and Double Data Rate (DDR). The IS67WVO memory devices support an Octal Peripheral Interface (OPI) (address, command, and data through 8 SIO pins), very low signal count, and hidden refresh operation. These memory devices are ideal for automotive applications.