IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2

ISSI
870-16M8DBLL166B1LA2
IS67WVH16M8DBLL-166B1LA2

Fabricante:

Descripción:
Tamaño de memoria RAM (SRAM) 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive

Ciclo de vida:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 200
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$8.949 $8.949
$8.333 $83.330
$8.075 $201.875
$7.885 $394.250
$7.694 $769.400

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: Tamaño de memoria RAM (SRAM)
RoHS:  
128 Mb
16 M x 8
35 ns
166 MHz
3.6 V
2.7 V
- 40 C
+ 105 C
SMD/SMT
TFBGA-24
Marca: ISSI
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Velocidad de transmisión de datos: 400 MB/s
Tipo de memoria: PSRAM
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 480
Subcategoría: Memory & Data Storage
Tipo: Pseudo Static Random Access Memory
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

IS67WVH/IS67WVO Memory Devices

ISSI IS67WVH/IS67WVO Memory Devices contain 64Mb/128Mb Pseudo Static Random Access (PSRAM) memory using a self-refresh DRAM array organized as 8M/16M words by 8bits. These memory devices offer up to 400MB/s of high-performance. The IS67WVH HyperRAM™ devices support a HyperBus interface, very low signal count (address, command, and data through 8 DQ pins), and hidden refresh operation. These integrated memory devices feature sequential burst transactions, Read-Write Data Strobe (RWDS), and Double Data Rate (DDR). The IS67WVO memory devices support an Octal Peripheral Interface (OPI) (address, command, and data through 8 SIO pins), very low signal count, and hidden refresh operation. These memory devices are ideal for automotive applications.