EPC2014C

EPC
65-EPC2014C
EPC2014C

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
0

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Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.464 $2.464
$1.590 $15.900
$1.074 $107.400
$857 $428.500
$808 $808.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$710 $1.775.000
$672 $3.360.000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
EPC
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
LGA-5
N-Channel
1 Channel
40 V
10 A
16 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
2 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
Marca: EPC
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Producto: Power Transistor
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 3,300 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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