AS3004204-0054X0ISAY

Avalanche Technology
793-30042040054X0ISY
AS3004204-0054X0ISAY

Fabricante:

Descripción:
Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C

Modelo ECAD:
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En existencias: 973

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$20.709 $20.709
$19.208 $192.080
$18.614 $465.350
$18.166 $908.300
$17.741 $1.774.100
$17.114 $5.134.200
$16.688 $10.012.800
1.200 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Avalanche Technology
Categoría de producto: Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:  
SOIC-8
QSPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
20 ns
2.7 V
3.6 V
23 mA
- 40 C
+ 85 C
AS3004204
Tray
Marca: Avalanche Technology
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: MRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 300
Nombre comercial: STT-MRAM, MRAM
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.