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AS4C8M16MSA-6BIN

Name: Alliance Memory AS4C8M16MSA-6BIN
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-AS4C8M16MSA-6BIN
Price: 9778 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

913-AS4C8M16MSA-6BIN

Fabricante N.º:

AS4C8M16MSA-6BIN

Fabricante:

Alliance Memory

Descripción:

DRAM 128M 166MHz 8Mx16 Mobile LP SDRAM IT

Hoja de datos:

AS4C8M16MSA-6BIN Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$9.778	$9.778
	$9.106	$91.060
	$8.826	$220.650
	$8.613	$430.650
	$8.579	$857.900
	$7.963	$1.990.750
	$7.773	$3.886.500
	$7.605	$7.277.985
2.552	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Alliance Memory
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM Mobile
Tamaño de memoria:	128 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	166 MHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-54
Organización:	8 M x 16
Tiempo de acceso:	5.5 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.95 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	AS4C8M16MSA-6
Empaquetado:	Tray
Marca:	Alliance Memory
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	319
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	50 mA
Peso de la unidad:	3,188 g

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Hoja de datos

AS4C8M16MSA-6BIN Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mobile Low Power SDRAMs

Alliance Memory Mobile Low Power SDRAMs are high-performance CMOS Dynamic RAMs (DRAM) with a 64ms refresh period (4K cycle). These devices feature advanced circuit design to provide low active current and extremely low standby current. The low power features include Auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), partial array self-refresh power-saving mode, deep power-down mode, and driver strength control.