Comparar posible reemplazo
Información del producto: |
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| Producto actual | Primero Posible reemplazo | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Imagen: |
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| N.º de artículo de Mouser: | 726-IPI90N04S4-02 | 726-IPI120N04S4-02 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| N.º de artículo del fabricante: | IPI90N04S4-02 | IPI120N04S4-02 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Descripción: | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Ciclo de vida: | End of Life | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Hoja de datos: | IPI90N04S4-02 Hoja de datos (PDF) | IPI120N04S4-02 Hoja de datos (PDF) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Especificaciones |
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| Marca: | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Modo canal: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Configuración: | Single | Single | ||||||||||||||||||||||||||||||
| País de ensamblaje: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||
| País de difusión: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||||||||||||||
| País de origen: | MY | MY | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Id - Corriente de drenaje continua: | 90 A | 120 A | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Fabricante: | Infineon | Infineon | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo máxima: | + 175 C | + 175 C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Estilo de montaje: | Through Hole | Through Hole | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Número de canales: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 | TO-262-3 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Empaquetado: | Tube | Tube | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dp - Disipación de potencia : | 150 W | 158 W | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de producto: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Qg - Carga de puerta: | 118 nC | 134 nC | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Calificación: | AEC-Q100 | AEC-Q100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 2.1 mOhms | 1.8 mOhms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Serie: | OptiMOS-T2 | OptiMOS-T2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Cantidad de Paquete Estándar: | 500 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Subcategoría: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tecnología: | Si | Si | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Nombre comercial: | OptiMOS | OptiMOS | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Polaridad del transistor: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tipo de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 40 V | 40 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V | 3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Alias de las piezas n.º: | SP000646194 IPI9N4S42XK IPI90N04S402AKSA1 | SP000764742 IPI12N4S42XK IPI120N04S402AKSA1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Información del pedido |
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| Existencias: | No en existencias | 478 Se puede enviar inmediatamente | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Plazo de entrega de fábrica: | 9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica. | 9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran. | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Comprar: |
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| Precio: |
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